IGBT的实用的驱动电路，以及一些设计细节，适合工程师和维修人员.doc

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IGBT实用的驱动电路，以及一些设计细节，适合工程师、采购、维修人员 （秦皇岛国安电力电子技术有限公司） 第1讲 IGBT的基本驱动电路 概要：笔者从事电力电子研发领域，经常使用IGBT，积累了一些设计经验，在此 与大家分享。
大部分内容不追求理论深度，而主要是帮助大家提高感性认识，为 使用IGBT提供一些参考。
1.IGBT的模型 IGBT的模型在教科上能找到，其栅极G，相当于一个数纳法（nF）的小电容 （暂时这样认为），这与MOS管类似；其集电极C和发射极E又类似于一只三极管 的C、E极。
因此，它结合了MOS管和三极管的特点：
（1）栅极的绝缘电阻无穷大，只要向栅极充入一定的正电荷，使得栅极电压大于 导通电压，管子就会导通，并且导通程度深，线性范围很窄。
这一点类似于MOS 管。

（2）由于栅极的绝缘电阻无穷大，因此电荷能够一直保存，即开通后可以一直开 通。
而且当栅极开路时，也常会处于开通状态。
正因为这个特性，驱动IGBT的电 路不需要提供很大的持续电流。
但这容易引起误导通，为了防止误导通，栅极G 和发射极E之间必须跨接一只电阻。
不少
第一次接触MOS管和IGBT的朋友就是 因为没有跨接此电阻而烧了管子。
跨接电阻一般为10k欧/0.25W。

（3）栅极电容的耐压是有一点限度的，一般是±20V，当超过此限度，可能会烧坏。
因此，栅极要加一对稳压二极管，用于吸收过高的电压。
稳压二极管一般头对头 串联，每只是18V/1W，限制的电压范围是±18.7V左右。
（4）输出极C和E特性类似于三极管，因此具有一定的导通压降，而不是像MOS管 那样用导通电阻来衡量。
导通压降与导通饱和度有关，导通饱和度受到栅极电压的影响，因此栅极电压不应太低，虽然IGBT在7V就完全能导通，但标准的栅极驱 动电压是15V。
（5）为了保证栅极驱动不误动作，一般关闭时要让栅极带有一定的负电压。
通常 对于小功率IGBT，负电压应在-8V左右。
因此，通常IGBT的标准驱动电压为- 8V、+15V。
实际使用时，如果采用