标准cmos工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望.doc

标准cmos工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望,标准cmos工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望。
站群推广项目评估、、表格
标准工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望崔增文，何山虎，陈弘达，毛陆虹，高建玉兰州微电子研究所，甘肃
兰州；中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京
摘要：从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
关键词：工艺；特征频率；单片系统；短距离并行光传输系统；多项目晶圆中图分类号：文献标识码：
文章编号：引言
世纪的今天，信息产业已经成为世界经济的支柱产业。人们的生活日益离不开信息技术，甚至各国竞相将信息技术作为衡量一个国家发展的标志。
暴涨的信息量需要具有更高处理能力的数字处理器，导致了各大厂商竞相开发高性能的数字处理器。数字处理器部分处理能力的提高，对作为端口或模拟信号处理的模拟部分提出了更高的要求，例如：在光电子接口通信场合，从到新的
要求有能够处理以上信号的能力。
标准工艺技术在高速电路中的地位受到怀疑，各种新型工艺发展迅速。考虑到载流子的迁移率低，有些公司将目光投向化合物半导体及ⅢⅤ族的、等；为了减少
衬底的损耗和降低器件尺寸的物理限制，另有一些公司对原有标准工艺做了革新，有新型的绝缘衬底硅工艺、任意衬底硅工艺；另外，目前大多数做数模转换器的公司是利用，双极和
混合工艺来获得高速的。
芯片的速度，集成度、功耗、芯片的成本以及研发周期是决定一个公司选择工艺的重要方面，下面从这几个方面来阐述标准工艺在高速模拟、混合信号处理领域的发展潜力。
标准工艺在高速模拟、混合信号处理领域的发展优势速度