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09北大微电子考研复试题目.pdf

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09北大微电子考研复试题目 ，09北大微电子考研复试题目。
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Qi1Question1：假设有一nMOS结构，其金属功函数为Φm，半导体功函数为Φs， 且Φm>Φs，画出其低频CV曲线，并说明如何确定平带电压。
如果增大该MOS结构的衬底掺杂浓度Na，其CV曲线将发生怎样的变化？Question2：现有以下两个结构，除沟道长度外其余参数完全相同，比较这两个 结构的IV特性曲线（设MOS管为长沟器件，不考虑短沟效应和沟长调制效应） D D L/2 GGL L/2 S S 结构B结构AQti3Question3：假设有以下三个电路，说明它们的小信号参数并进行比较。
（注意：这里三个电路的ID是相等的） IDIDID VoutVoutVout W/2L VinW/LVinW/4LVin W/2L ABC


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