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载流子在运动中会不断受到散射，碰撞，通过复合而消失（电子与空穴复合）。
载流子（电子或空穴）有一定的生存时间，长短不同。
平均生存时间称为载流子的寿命。
载流子的寿命取决于复合几率和载流子的浓度。
ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。
CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电）和P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
然而CMOS的缺点就是太容易出现杂点。
消光比，定义：激光功率在逻辑"1"的平均功率和在逻辑"0"的平均功率之比。
对于数字脉冲光发射机，消光比这个指标很重要，它定义为全"0"时平均光功率p0和全"1"时平均光功率p1之比，可用EXT表示，定义式如EXT=10lg(p1/p0)(dB)，消光比的不足容易引起对码元的误判等一系列问题。
消光比是衡量偏振器质量的重要参数。
某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性，物质的折射率因外加电场而发生变化的现象为电光效应.电光效应包括泡克耳斯(Pockels)效应和克尔(Kerr)效应。
电光效应是指某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性的效应。
电光效应包括克尔效应和泡克耳斯效应。
折射率与所加电场强度的一次方成正比改变的为Pockels效应或线性电光效应， 电容器的极板间充满电介质时的电容与极板间为真空时的电容之比值称为（相对）介电常数。
介电系数，是一个在电的位移和电场强度之间存在的比例常量。
这一个常量在自由的空间（一个真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）。
在其它的材料中，介电系数可能差别很大，经常远大于真空中的数值，其符号是eo。
在工程应用中，介电系数时常在以相对介电系数的形式被表达，而不是绝对值。
如果eo表现自由空间（是，8.85×10的-12次方F/m）的介电系数，而且e是在材料中的介电系数，则这个材料的相对介电系数（也叫介电常数）由下式给出：ε1＝ε/εo＝ε×1.13×10的11次方很多不同的物质的介电常数超过1。
这些物质通常被称为绝缘体材料，或是绝缘体。
普遍使用的绝缘体包括玻璃，纸，云母，各种不同的陶瓷，聚乙烯和特定的金属氧化物。
绝缘体被用于交流电（AC），声音电波（AF）和无线电电波（射频）的电容器和输电线路。
有限差分法：数值求解常微分方程或偏微分方程的方法。
SOI材料是新型硅基集成电路材料的简称。
SOI材料具有以下突出优点：
1、低功耗；
2、低开启电压；
3、高速；
4、提高集成度；
5、与现有集成电路完全兼容且减少工艺程序；
6、耐高温；
7、抗辐照从而减少软件误差。
这些优点使得SOI技术在绝大多数硅基集成电路方面具有极其广泛的应用背景，从而受到世界各大集成电路制造商和各国政府的高度重视，被国际上公认为"21世纪的硅基集成电路技术"。
对于给定的偏振光来说，我们通常使用的光波导只支持一个模式，即单模光波导。
分析一下对称平板光波导的特征值方程（4－26）。
考虑二阶模，即m=1，令它的传输角