LED结温的测量方法研究.pdf
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嵛糠椒ㄑ芯嵛露正向电压的影响引言郭伟玲王晓明陈建新邹德恕沈光地本┕ひ荡笱Ч獾缱蛹际跏笛槭彰鞒晌兰妥钜俗⒛康男录际趿煊蛑弧８吖β更是半导体照明中的关器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素，尤其是骷庾昂推骷结平均温度，是骷坝τ貌啡裙げ问饬恐凶畛Ｊ设计和应用提供有力支持。
最后对减少温升的具体方法和措施进行了介绍，淙牍β适键器件，相对于用作指示器件的魑U彰髌骷某吡炼，由于耗散功率的增加和环境温度的变化，会引起酒嵛碌南灾浠的结温变化则会影响其光通量、出光效率、颜色、波长以及正向电压等光度、色度和电气参数等，影响器件的寿命和可靠性。
此外，嘁酝该骰费跏髦庾埃艚嵛鲁滔嘧1湮露龋庾安牧匣嵯蛳鸾鹤醋变且热膨胀系数骤升，从而导致器件失效。
保持嵛略谠市淼姆段冢芯片制备、用设计必须着重解决的核心问题。
因此，对高功率慕嵛隆⑷茸璧热忍匦圆问凶既房焖俚牟馐跃拖缘檬直匾!目前对半导体器件工作温度和热阻的测量方法主要有眩汉焱馊认褚欠ā⒌缪Р问ā⒐馄法、光热阻扫描法及光功率法等。
其中电学法利用蜓菇邓嫖露鹊谋浠叵担饬器件蜃榧的热阻以及用的方法。
在利用电学法进行热阻测量时，必须预先知道结正向压降随温度的变化关系。
本文根据虻缪顾嫖露缺浠脑恚煤阄孪洹⒑懔髟吹裙ぞ撸饬苛说ビ性区和隧道再生多有源区慕嵛拢⒍远叩慕嵛潞腿茸杞辛朔治龆员龋的器件器件热效应的唯一来源，设法提高器件的电光转换效率及提高器件的散热能力是减小升效应的主要途径。
正向电压是判定阅艿囊桓鲋匾2瘟浚氖等【鲇诎氲继宀牧系奶匦裕酒海峡两岸第十四届照明科技与营销研讨会∥位卅他．，。
庠番搪橙本征载流子浓度强烈依赖于温度，吃⒍‘芴西Ⅳ。
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