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LED投光灯_的发展.doc
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LED投光灯_的发展
LED天花灯 简介: LED投光灯 binweixun LED投光灯 binweixun照明即是发光二极管照明,是一种半导体固体发光器件。
它是利用固体 半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载 流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的 光。
LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
LED照明原理: LED是由Ⅲ- Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心 是PN结。
因此它具有一般P-N结的I- N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。
此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向 电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部 分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中 心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介 于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区 内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
LED天花灯 LED天花灯 理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm) 式中Eg的单位为电子伏特(eV)。
若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导 体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、 绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普
LED天花灯 简介: LED投光灯 binweixun LED投光灯 binweixun照明即是发光二极管照明,是一种半导体固体发光器件。
它是利用固体 半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载 流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的 光。
LED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。
LED照明原理: LED是由Ⅲ- Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心 是PN结。
因此它具有一般P-N结的I- N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。
此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向 电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部 分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中 心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介 于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。
发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区 内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
LED天花灯 LED天花灯 理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm) 式中Eg的单位为电子伏特(eV)。
若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导 体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、 绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普
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